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環槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圓卡盤是面向高溫、高功率制程與極限重復性需求的一種工程化夾持方案。采用碳化硅材料并在接觸面設計環形槽道，可同時解決熱管理、受力均勻性和顆粒污染三大痛點，提高良率與設備穩定性。 材料與優勢 碳化硅（SiC）兼具高熱導、低熱
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